Parasitic capacitances associated with overhangs of the T-shape-gate enhancement-mode(E-mode)GaN-based power device,were......

为了提高中子产额, 法兰克福强中子源采用Mobley型束团压缩器来增强打靶时质子流的密度, 其入口处由射频踢波器实现微脉冲的偏转,......

用数值计算方法详细模拟了室温及低温（７７Ｋ）下ＶＬＳＩ电路中金属互连线的寄生电容和时间延迟，得到了金属互连线的几何结构对寄生效应的影响。结果......